应用与选型

SiC按终端应用确认材料路线；CMP抛光垫按加工材料、抛光阶段、设备与目标指标确认。两条产品线分别评审。

SiCCMPSample → Batch

SiC

SiC材料选型

先确认器件、光学或晶体生长用途，再匹配材料形态、尺寸与等级。

功率电子：新能源汽车、充电、光伏与储能N型导电4H-SiC衬底电压等级、器件路线、尺寸、厚度、表面与质量等级

射频与通信高纯半绝缘SiC衬底电阻率、晶型、晶向、尺寸及缺陷指标

光学窗口、激光与热管理高纯半绝缘SiC、光学片或热沉片口径、厚度、表面质量、透过与热学指标

晶体生长与材料研发SiC粉料、籽晶或晶锭纯度、尺寸、掺杂、晶型及长晶路线

工艺调试与设备验证切割片、Dummy片或载片设备用途、数量、尺寸与可接受等级

CMP

先确认被加工材料和抛光阶段，再评审抛光垫结构与设备适配。

晶圆或衬底粗抛聚氨酯抛光垫去除率、耐磨性、硬度、变形与沟槽结构

晶圆或衬底精抛无纺布抛光垫渗水性、粗糙度、表面缺陷与抛光液

低粗糙度与片内均匀性改善带绒毛结构无纺布抛光垫压缩率、弹性、表面结构与均匀性目标

设备与工艺验证按设备及指标组合选型加工材料、盘径、转速、压力、抛光液与目标指标

以上仅用于初步选型。最终规格需结合客户设备、工艺条件、样品测试及目标指标确认。

告诉我们尺寸、级别与数量，我们会尽快回复方案。