高纯半绝缘碳化硅衬底与光学片

HPSI 4H 晶型，电阻率 ≥1E8 ohm·cm，(0004) FWHM (0004) ≤45 arcsec；光学片折射率 >2.65@589nm。

4H-SiC4–12 英寸Ultra-P · Production · Dummy

HPSI 4H-SiC
电阻率 ≥1E8 ohm·cm
FWHM (0004) ≤45 arcsec
双面 CMP
4 / 6 / 8 英寸

高纯半绝缘碳化硅衬底用于 GaN-on-SiC 射频器件、大功率激光器热沉与雷达电子装备；碳化硅光学片用于光学窗口、AR 眼镜镜片以及严苛环境下工作的光学器件。

高纯半绝缘碳化硅衬底与光学片

高纯半绝缘碳化硅衬底与光学片

高纯半绝缘碳化硅衬底与光学片

技术规格

产品	尺寸	规格级别	厚度	关键指标
高纯半绝缘 HPSI	4 英寸	Production / Research / Dummy	500 ± 25 μm	电阻率 ≥1E10 ohm·cm，微管 ≤1ea/cm²
高纯半绝缘 HPSI	6 英寸	Production / Research / Dummy	500 ± 25 μm	电阻率 ≥1E8 ohm·cm，TTV ≤5μm
高纯半绝缘 HPSI	8 英寸	Production / Dummy	500 ± 25 μm	电阻率 ≥1E8 ohm·cm，TTV ≤10μm
光学片	4 英寸	Production	500 / 700 ± 10 μm	折射率 >2.65@589nm，双面 CMP
光学片	6 英寸	Production	500 / 700 ± 10 μm	雾度 <0.3%，微管 ≤0.2ea/cm²
光学片	8 英寸	Production	500 / 700 ± 10 μm	吸收率 <0.5%@450–650nm

以上为通用规范摘要，实际交付以最新产品技术规格书为准。

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