N 型导电碳化硅衬底

4H 晶型、氮掺杂，电阻率 0.015–0.025 ohm·cm。4 / 6 / 8 / 12 英寸双面抛光片。

4H-SiC4–12 英寸Ultra-P · Production · Dummy

4H-SiC
Si面 / C面双面抛光
Ultra-P / Production / Dummy
充氮 / 真空包装
外延即用（Epi-ready）

N 型导电碳化硅单晶衬底是功率器件的基础材料，用于制造 MOSFET 与肖特基二极管，广泛应用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩、光伏与储能变流器。按 Ultra-P（超优级）、Production（量产级）与 Dummy（挡片级）三档供应。

N 型导电碳化硅衬底

N 型导电碳化硅衬底

技术规格

尺寸	规格级别	直径	厚度	关键指标
4 英寸	Production / Dummy	100.0 mm	约 350 μm	4H 晶型、氮掺杂
6 英寸	Ultra-P	150.0 ± 0.2 mm	350 ± 25 μm	微管 <0.1ea/cm²，TSD ≤10ea/cm²，可用面积 ≥98%
6 英寸	Production	150.0 ± 0.2 mm	350 ± 25 μm	微管 <0.2ea/cm²，TTV ≤5μm，可用面积 ≥95%
6 英寸	Dummy	150.0 ± 0.2 mm	350 ± 25 μm	微管 <10ea/cm²，工艺挡片用
8 英寸	Ultra-P	200.0 ± 0.2 mm	350 / 500 ± 25 μm	微管 <0.1ea/cm²，LTV ≤2μm，TTV ≤5μm
8 英寸	Production	200.0 ± 0.2 mm	350 / 500 ± 25 μm	微管 <0.5ea/cm²，TTV ≤10μm，可用面积 ≥95%
8 英寸	Dummy	200.0 ± 0.2 mm	350 / 500 ± 25 μm	微管 <50ea/cm²，工艺挡片用
12 英寸	工程样品	300.0 ± 0.5 mm	700 ± 50 μm	Si 面 CMP，Notch 定向
切割片	同类同级衬底	4 / 6 / 8 英寸	按需	未抛光切割片，客户自行研磨抛光

以上为通用规范摘要，实际交付以最新产品技术规格书为准；其他规格可按需求定制。

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