Применение и подбор

SiC

Выбор материалов SiC

Сначала определяется применение — прибор, оптика или рост кристалла, затем форма материала, размер и класс.

Силовая электроника: электромобили, зарядка, солнечная энергетика и накопителиПроводящая подложка 4H-SiC n-типаКласс напряжения, маршрут прибора, размер, толщина, поверхность и класс качества

СВЧ и связьВысокочистая полуизолирующая подложка SiCСопротивление, политип, ориентация, размер и критерии дефектов

Оптические окна, лазеры и теплоотводHPSI SiC, оптическая или теплоотводящая пластинаДиаметр, толщина, качество поверхности, оптические и тепловые параметры

Рост кристаллов и исследованияПорошок SiC, затравочный кристалл или слитокЧистота, размер, легирование, политип и технология роста

Настройка процесса и проверка оборудованияРезаная, тестовая или несущая пластинаНазначение оборудования, количество, размеры и допустимый класс

CMP

Выбор полировальных подушек для ХМП (CMP)

Сначала определяются материал заготовки и стадия полировки, затем структура полировальной подушки и совместимость с оборудованием.

Полировальные подушки для ХМП (CMP)

Грубая полировка пластин или подложекПолиуретановая полировальная подушкаСкорость съёма, износ, твёрдость, деформация и рисунок канавок

Финишная полировка пластин или подложекПолировальная подушка на нетканой основеПроницаемость, шероховатость, дефекты поверхности и суспензия

Снижение шероховатости и улучшение равномерностиПолировальная подушка типа suede на нетканой основеСжимаемость, эластичность, структура поверхности и равномерность

Проверка оборудования и процессаКонфигурация под оборудование и целевые параметрыЗаготовка, диаметр стола, скорость, давление, суспензия и целевые показатели

Выбор материалов SiC

Выбор полировальных подушек для ХМП (CMP)

Нужна цена, спецификация или образец?