Проводящие подложки SiC (n-тип)

4H, легирование азотом, 0,015–0,025 Ом·см. Диаметры 4 / 6 / 8 / 12 дюймов, двусторонняя полировка.

4H-SiC4–12 дюймовUltra-P · Production · Dummy

4H-SiC
Двусторонняя полировка Si/C
Ultra-P / Production / Dummy
Упаковка в азоте / вакууме
Epi-ready

Монокристаллические подложки карбида кремния n-типа — базовый материал силовых приборов: MOSFET и диодов Шоттки для тяговых инверторов, зарядных станций, солнечных и накопительных преобразователей. Поставляются в трёх классах качества: Ultra-P (высший), Production (серийный) и Dummy (технологический).

Запросить цену

Технические характеристики

Типоразмер	Класс	Диаметр	Толщина	Ключевые параметры
4 дюйма	Production / Dummy	100,0 мм	≈350 мкм	4H, легирование азотом
6 дюймов	Ultra-P	150,0 ± 0,2 мм	350 ± 25 мкм	Микротрубки <0,1 см⁻², TSD ≤10 см⁻², полезная площадь ≥98 %
6 дюймов	Production	150,0 ± 0,2 мм	350 ± 25 мкм	Микротрубки <0,2 см⁻², TTV ≤5 мкм, полезная площадь ≥95 %
6 дюймов	Dummy	150,0 ± 0,2 мм	350 ± 25 мкм	Микротрубки <10 см⁻², технологические пластины
8 дюймов	Ultra-P	200,0 ± 0,2 мм	350 / 500 ± 25 мкм	Микротрубки <0,1 см⁻², LTV ≤2 мкм, TTV ≤5 мкм
8 дюймов	Production	200,0 ± 0,2 мм	350 / 500 ± 25 мкм	Микротрубки <0,5 см⁻², TTV ≤10 мкм, полезная площадь ≥95 %
8 дюймов	Dummy	200,0 ± 0,2 мм	350 / 500 ± 25 мкм	Микротрубки <50 см⁻², технологические пластины
12 дюймов	Опытные образцы	300,0 ± 0,5 мм	700 ± 50 мкм	Полировка CMP по Si-грани, ориентация по Notch
As-cut	по классу подложки	4 / 6 / 8 дюймов	по запросу	Пластины после резки, без полировки

Приведены типовые параметры. Точные значения — по действующей технической спецификации; возможно изготовление под требования заказчика.

Нужна цена, спецификация или образец?

Укажите типоразмер, класс и количество — подготовим техническое и коммерческое предложение.

Отправить запрос

Запросить цену